本報訊（記者 任朝霞）日前，復(fù)旦大學(xué)集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬、劉春森團(tuán)隊率先研發(fā)出全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片，攻克了新型二維信息器件工程化的關(guān)鍵難題，為新一代顛覆性器件縮短應(yīng)用化周期提供范例。相關(guān)研究成果于北京時間10月8日晚間發(fā)表在《自然》雜志上。

　　今年4月，周鵬、劉春森團(tuán)隊研發(fā)出“破曉”二維閃存原型器件，實現(xiàn)了400皮秒超高速非易失存儲，是迄今最快的半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)，為打破算力發(fā)展困境提供了底層原理。時隔半年，團(tuán)隊將“破曉（PoX）”與成熟硅基CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝平臺深度融合，率先研發(fā)出全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)芯片。

　　作為集成電路的前沿領(lǐng)域，二維電子學(xué)近年來獲得很多關(guān)注，但如何讓這項技術(shù)得到真正的應(yīng)用，讓二維電子器件走向功能芯片？周鵬、劉春森團(tuán)隊主動融入產(chǎn)業(yè)鏈，嘗試從未來應(yīng)用的終點(diǎn)出發(fā)，“從10到0”倒推最具可能性的技術(shù)發(fā)展路徑。

　　如何將二維材料與CMOS集成又不破壞其性能，是團(tuán)隊需要攻克的核心難題?！拔覀儧]有必要去改變CMOS，而是要去適應(yīng)它。”團(tuán)隊從本身就具有一定柔性的二維材料入手，通過模塊化的集成方案，先將二維存儲電路與成熟CMOS電路分離制造，再與CMOS控制電路通過高密度單片互連技術(shù)（微米尺度通孔）實現(xiàn)完整芯片集成。

　　正是這項核心工藝的創(chuàng)新，實現(xiàn)了在原子尺度上讓二維材料和CMOS襯底的緊密貼合，最終實現(xiàn)超過94%的芯片良率。團(tuán)隊進(jìn)一步提出了跨平臺系統(tǒng)設(shè)計方法論，包含二維CMOS電路協(xié)同設(shè)計、二維CMOS跨平臺接口設(shè)計等，并將這一系統(tǒng)集成框架命名為“長纓（CY-01）架構(gòu)”。

　　“這是中國集成電路領(lǐng)域的‘源技術(shù)’?！闭雇S-硅基混合架構(gòu)閃存芯片的未來，團(tuán)隊期待該技術(shù)顛覆傳統(tǒng)存儲器體系，讓通用型存儲器取代多級分層存儲架構(gòu)，為人工智能、大數(shù)據(jù)等前沿領(lǐng)域提供更高速、更低能耗的數(shù)據(jù)支撐，讓二維閃存成為AI時代的標(biāo)準(zhǔn)存儲方案。

《中國教育報》2025年10月10日 第01版